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NEWS INFORMATION維持山東金屬測(cè)厚儀壽命幾個(gè)須注意的點(diǎn)
2016-10-09 1.不要使用劣質(zhì)的電池,以免造成漏液,導(dǎo)致山東金屬測(cè)厚儀主機(jī)主板腐蝕。一旦發(fā)現(xiàn)漏液請(qǐng)立即送修,晚了的話(huà)主機(jī)直接報(bào)廢掉了。長(zhǎng)時(shí)間不用,請(qǐng)將電池拿掉。2.插拔探頭的時(shí)候,須先關(guān)閉主機(jī)電源后再進(jìn)行插拔。不然很容易造成探頭里面的集成塊燒掉。3.在測(cè)量的時(shí)候探頭要平穩(wěn)放置,力氣不宜過(guò)大,不能速度非常快的點(diǎn)測(cè);測(cè)試的時(shí)候探頭不要在被測(cè)表面劃來(lái)劃去,這樣很容易造成探頭損壞。4.涂層未干時(shí)不能進(jìn)行測(cè)量,這一點(diǎn)非常重要,很多客戶(hù)經(jīng)常在涂層未干的時(shí)候進(jìn)行測(cè)量,探頭粘上油漆后,再用香蕉水或者二甲苯...鋼板超聲波測(cè)厚儀的往返時(shí)間的測(cè)量和數(shù)據(jù)采集
2016-10-09 1.鋼板超聲波測(cè)厚儀的往返時(shí)間的測(cè)量往返時(shí)間的測(cè)量有以下三種方法:(1)測(cè)量發(fā)射波T與*次底波B1之間的時(shí)間;(2)測(cè)量*次底波B1與第二次底波B2之間的時(shí)間;(3)測(cè)量其后任意兩相鄰波之間的時(shí)間。以上三種測(cè)量方式的選擇可以通過(guò)不同的電路來(lái)實(shí)現(xiàn),但它們對(duì)鋼板超聲波測(cè)厚儀的性能有很大的影響。如果選擇*種測(cè)量方法,則因發(fā)射脈沖幅度特別大,且種測(cè)量方法,由于脈寬窄,能探測(cè)薄的材料,此時(shí)若用高頻探頭(10MHz),就能探測(cè)更薄的材料,因而拓寬了鋼板超聲波測(cè)厚儀測(cè)量下限。如果選擇第三種...硅片甩干機(jī)的硬件設(shè)計(jì)及系統(tǒng)控制要求
2016-09-30 硅片甩干機(jī)是目前半導(dǎo)體行業(yè)中對(duì)硅圓片、掩模板、太陽(yáng)能電池等其他類(lèi)似材料要求高潔凈度沖洗甩干的主要設(shè)備。由于設(shè)備對(duì)控制系統(tǒng)的可靠性及實(shí)時(shí)性要求較高,所以在選擇主控制器時(shí),考慮到用戶(hù)的要求及實(shí)際應(yīng)用,我們選擇了s7-200系列中的cpu224作為主控制器。硅片甩干機(jī)采用的主控制器cpu224,繼電器輸出。工作電壓為交流220v,其具有14個(gè)輸入點(diǎn)和10個(gè)輸出點(diǎn),此外還選用了一個(gè)8點(diǎn)輸出的數(shù)字量擴(kuò)展模塊,和一個(gè)4點(diǎn)輸入/1點(diǎn)輸出的模擬量擴(kuò)展模塊。除了基本的輸入/輸出信號(hào)外,由于設(shè)備...濕法針孔檢漏儀廠(chǎng)家淺談實(shí)驗(yàn)室的濕法消解
2016-09-23 隨著我們國(guó)家對(duì)環(huán)境、食品、衛(wèi)生、質(zhì)檢的安全機(jī)制的建立和完善,在元素分析和有害金屬元素檢測(cè)上將投入更大的檢測(cè)力度。目前大多數(shù)的檢測(cè)都注重于準(zhǔn)確、、快速;這是目前分析實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)發(fā)展目標(biāo)!如何實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),濕法針孔檢漏儀廠(chǎng)家除了提高分析儀器分析手段,還要提高對(duì)樣品前處理設(shè)備得手段。簡(jiǎn)單了解一下有關(guān)濕法消解的相關(guān)設(shè)備和方法濕法消解是用酸液或堿液并在加熱條件下破壞樣品中的有機(jī)物或還原性物質(zhì)的方法。常用的酸解體系有:硝酸-硫酸、硝酸-高氯酸、硝酸-鹽酸、氫氟酸,過(guò)氧化氫等,它們可將待測(cè)...硅片甩干機(jī)廠(chǎng)家簡(jiǎn)述半導(dǎo)體硅中雜質(zhì)對(duì)性能的影響
2016-09-19 硅片甩干機(jī)廠(chǎng)家解釋在形態(tài)上,直拉單晶硅形狀一般為圓柱形,而鑄造多晶硅一般鑄造成硅錠,為方形。在質(zhì)量上由于單晶的工藝要求較高,其純度一般要求在六個(gè)九以上;而相對(duì)的,鑄造多晶硅的純度要求相對(duì)較低。在能耗上,單晶由于有拉晶的過(guò)程,相對(duì)能耗遠(yuǎn)大于鑄造多晶硅。而在晶體形狀上,單晶硅的形狀比較規(guī)則,其中晶體的缺陷明顯較少,而多晶硅只滿(mǎn)足短程有序,其形狀規(guī)則性較差。本征半導(dǎo)體Si、Ge等的四個(gè)價(jià)電子,與另四個(gè)原子構(gòu)成四個(gè)共價(jià)鍵,硅片甩干機(jī)廠(chǎng)家說(shuō)明當(dāng)摻入少量的五價(jià)原子(如P、As)時(shí),就形成...關(guān)于我們
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